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            高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

            更新時間:2019-01-02      點擊次數:3466

            高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

            高溫四探針測試儀可以實現高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其他導電薄膜的方塊電阻。

             

             

            高溫四探針測試儀的測量原理

            1. 測量電阻率的方法很多,如三探針法、電容-電壓法、擴展電阻法等,四探針法則是一種廣泛采用的標準方法,高溫四探針測試儀采用經典直排四探針原理,同時采用了雙電測組合四探針法。
            2. 經典的直排四探針法測試電阻率,要求使用等間距的探針,如果針間距離不等或探針有游移,就會造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時,要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。

                  3.采用雙電測組合四探針的出現,為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創造了有利條件。

            高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優勢

            1. 采用雙電測組合四探針法進行測試,測試結果與探針間距無關,能夠消除間距不等及針尖機械游移變化的影響,因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭。
            2. 采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應的功能,對小尺寸被側片或探針在較大樣品邊緣附近時,不需要對樣品做幾何測量,也不需要尋找修正因子。
            3. 采用雙電測組合四探針法,不移動四探針針頭,同時使用三種模式測量,既可計算得到測試部位的電阻均勻性。
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